一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法(預披露)
一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法
一、成果基本信息
成果基本信息 | 成果名稱 | 一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法 |
成果所屬單位 | 貴州大學 | |
成果所屬領域 | 新能源與節(jié)能 | |
成果關鍵詞 | 三維集成；硅直通孔；熱解析模型； | |
成果所屬學科 | 電子科學與技術 | |
交易方式 | 面議 |
二、成果簡介
本發(fā)明公開了一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法，它包括將三維集成系統(tǒng)分解成單個功率元胞，在該功率元胞中，考慮硅通孔橫向熱阻和縱向熱阻的影響，建立分段熱阻模型；根據(jù)基爾霍夫定律得出包含上下層芯片溫度的矩陣方程；根據(jù)傳熱學中熱阻表達方式，建立熱阻R1~R8的表達式；將熱阻R1~R8的表達式代入包含上下層芯片溫度的矩陣方程中求解關于溫度T的方程組，從而得到三維集成系統(tǒng)中各層芯片的溫升情況；解決了現(xiàn)有技術對維集成系統(tǒng)的熱解析采用一維熱阻模型，它只考慮三維集成系統(tǒng)的縱向傳熱而沒有考慮三維集成系統(tǒng)TSV的橫向熱阻問題，使得三維集成系統(tǒng)的熱可靠性差等問題。
三、成果轉(zhuǎn)化預期：
可為三維集成電路系統(tǒng)的設計和制造提供理論指導，幫助提高三維集成電路的質(zhì)量和可靠性。
特別聲明
1.本公告僅對成果進行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。
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項目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理
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