一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法

一、成果基本信息

二、成果簡介

    本發(fā)明公開了一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法，它包括將三維集成系統(tǒng)分解成單個功率元胞，在該功率元胞中，考慮硅通孔橫向熱阻和縱向熱阻的影響，建立分段熱阻模型；根據(jù)基爾霍夫定律得出包含上下層芯片溫度的矩陣方程；根據(jù)傳熱學(xué)中熱阻表達(dá)方式，建立熱阻R1~R8的表達(dá)式；將熱阻R1~R8的表達(dá)式代入包含上下層芯片溫度的矩陣方程中求解關(guān)于溫度T的方程組，從而得到三維集成系統(tǒng)中各層芯片的溫升情況；解決了現(xiàn)有技術(shù)對維集成系統(tǒng)的熱解析采用一維熱阻模型，它只考慮三維集成系統(tǒng)的縱向傳熱而沒有考慮三維集成系統(tǒng)TSV的橫向熱阻問題，使得三維集成系統(tǒng)的熱可靠性差等問題。

三、成果轉(zhuǎn)化預(yù)期：

可為三維集成電路系統(tǒng)的設(shè)計和制造提供理論指導(dǎo)，幫助提高三維集成電路的質(zhì)量和可靠性。

特別聲明

1.本公告僅對成果進(jìn)行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。

2.貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所通過自身網(wǎng)站及相關(guān)媒體發(fā)布的項目信息并不構(gòu)成貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所對任何項目的任何交易建議。意向方應(yīng)不依賴于已披露的上述信息并自行對項目的相關(guān)情況進(jìn)行必要的盡職調(diào)查和充分了解。

項目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理  

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