一種提升長(zhǎng)期存儲(chǔ)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)品良率的工藝處理方法

一、成果基本信息

二、成果簡(jiǎn)介

    本成果屬于半導(dǎo)體集成電路和器件領(lǐng)域，具體是一種提升長(zhǎng)期存儲(chǔ)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)品良率的工藝處理方法。半導(dǎo)體硅片作為半導(dǎo)體器件的載體，在完成半導(dǎo)體工藝后需要進(jìn)行存儲(chǔ)，由于存儲(chǔ)溫度、保護(hù)氣體、存儲(chǔ)時(shí)間、器件環(huán)境敏感性等不盡相同，半導(dǎo)體器件在存儲(chǔ)一段時(shí)間后，電參數(shù)會(huì)出現(xiàn)不同程度的變化，甚至造成器件電參數(shù)不合格、良率下降，嚴(yán)重時(shí)造成整個(gè)硅片報(bào)廢。

本成果創(chuàng)新性地提出了一種工藝處理方法，其特征在于：包括噴淋及浸泡、煮一號(hào)液、沖水、甩干、烘焙五個(gè)工藝步驟。

（1）所述工藝步驟噴淋及浸泡具體為使用帶噴淋功能的清洗槽噴淋所述半導(dǎo)體硅片，直至半導(dǎo)體硅片被噴淋液體完全淹沒(méi)，噴淋液體為去離子水；浸泡時(shí)間為5分鐘。

（2）所述工藝步驟煮一號(hào)液具體為使用氨水（NH4OH）、雙氧水（H2O2）、去離子水（H2O）的混合溶液清洗所述半導(dǎo)體硅片；一號(hào)液的配比為：NH4OH：H2O2：H2O=1：1：6；

（3）所述工藝步驟沖水具體為使用帶噴淋功能的清洗槽清洗所述半導(dǎo)體硅片10次；

（4）所述工藝步驟甩干具體為使用甩干機(jī)甩干所述半導(dǎo)體硅片；

（5）所述工藝步驟烘焙具體為使用120℃高溫烘箱烘培所述半導(dǎo)體硅片30分鐘；

本成果具有成本低、實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，可以有效解決半導(dǎo)體硅片因存儲(chǔ)、運(yùn)輸過(guò)程產(chǎn)生的水汽、顆粒、應(yīng)力等因素引起的良率降低問(wèn)題，維持了合格半導(dǎo)體硅片的高良率，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。

三、成果轉(zhuǎn)化預(yù)期：

通過(guò)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)讓，為企業(yè)提高集成電路芯片制造所需硅片的良率，保證集成電路芯片的質(zhì)量可靠性提供技術(shù)支持，能為企業(yè)增加一定的經(jīng)濟(jì)效益。

特別聲明

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